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英嘉通成立于2019年,专注于第三代化合物半导体的研发和销售,已获专利 107件,其中发明专利38件,获得中国电子学会科技进步二等奖,广东省科 技进步二等奖。
产品线:聚焦于氮化镓(GaN)功率器件,碳化硅(SiC)功率器件和GaN射 频等第三代化合物半导体。
应用领域:被广泛应用于新能源、智能终端和5G通信等领域。
工厂:苏州
IGC6C060SR TOLT
IGC6C120DF TO-220F
IGC6012E DFN8X8
IGC6011E DFN8X8
IGC6022E DFN8X8
IGC6C240DF TO-220F
IGC6021E DFN8*8
IGC6021S DFN5*6
IGC6C300ST TO-252
IGC6041 DFN8X8
IGC6C600ST TO-252
IGC6C750ST TO-252
IGC6C1K2ST TO-252
IGM0035065D/K
IGM0060065D/K
IGM0018120K
IGM0025120K
IGM0040120D/K
IGM0080120D/K
IGM0160120D/K
IGM0045170D/K
IGM1000170G
IGM0018120M SOT-227
IGM0040120M SOT-227
IGMM400N120M3 HPD
IGC04065D/E DFN5*6
IGC06065D/E DFN5*6
IGC10065D/A DFN5*6
IGC20065D TO247-3L